El Consell subvenciona con 250.000 euros el funcionamiento del nodo de la infraestructura científica y técnica singular Micronanofabs
A través de este convenio se pretende impulsar la promoción, sostenimiento, y difusión de la investigación científica y el desarrollo tecnológico de sus Infraestucturas Científicas Técnicas Singulares (ICTS)
El Consell ha aprobado un convenio de colaboración entre la Conselleria de Educación, Cultura, Universidades y Empleo y la Universitat Politècnica de València para apoyar al nodo de la infraestructura científica y técnica singular (ICTS) Micronanofabs.
La subvención para este nodo, que está situado en el Instituto Universitario Centro de Tecnología Nanofotónica (NTC), es de 250.000 euros.
A través de este convenio se pretende impulsar la promoción, sostenimiento, regulación y difusión de la investigación científica y el desarrollo tecnológico de sus instalaciones científicas técnicas singulares (ICTS) con criterios de excelencia, calidad y competitividad.
La finalidad de esta subvención es la adquisición de un reactor epitaxial de haces moleculares para semiconductores III-V–MBE. El nuevo equipo que hay que adquirir permitirá la epitaxia de semiconductores III-V para hacer frente a los nuevos retos de investigación en el campo de la integración de dispositivos activos basados en semiconductores III-V sobre circuitos fotónicos integrados basados en silicio.
Este convenio producirá efectos desde el momento de la firma y tendrá una vigencia que se extenderá hasta el 31 de diciembre de 2024.
ICTS Micronanofabs se incluye en el mapa de Infraestructuras Científicas y Técnicas Singulares, instalaciones, que contribuyen decisivamente a desarrollar investigación de vanguardia y de excelencia. La Conselleria de Educación, Cultura, Universidades y Empleo dispone de una línea directa de apoyo a las ICTS radicadas en la Comunitat Valenciana.
El Instituto Universitario Centro de Tecnología Nanofotónica dispone de una línea completa de micro-nanofabricación de dispositivos integrados sobre obleas de silicio (200 milímetros), ubicada en una sala limpia de 500 metros cuadrados.
Además, este centro cuenta con un laboratorio completo de ensamblado y encapsulado de componentes fotónicos integrados, laboratorios de caracterización física y óptica de dispositivos, así como un laboratorio de caracterización de sistemas y redes ópticas, ofreciendo servicios completos de prototipado rápido para grupos de investigación. Su aplicabilidad abarca tecnologías innovadoras como sensores de alimentación y salud, la computación cuántica y otros como la movilidad autónoma o el despliegue del 6G.
